Ge substrat
Opis
Pojedynczy kryształ Ge jest doskonałym półprzewodnikiem dla przemysłu podczerwieni i układów scalonych.
Nieruchomości
| Metoda wzrostu | Metoda Czochralskiego | ||
| Struktura krystaliczna | M3 | ||
| Stała komórki jednostkowej | a=5,65754 Å | ||
| Gęstość (g/cm3） | 5.323 | ||
| Temperatura topnienia (℃) | 937,4 | ||
| Materiał domieszkowany | Bez dopingu | Domieszkowany Sb | Domieszkowany In/G |
| Typ | / | N | P |
| Oporność | > 35 Ωcm | 0,05 Ωcm | 0,05 ~ 0,1 Ωcm |
| EPD | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 |
| Rozmiar | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, | ||
| średnica 2” x 0,33 mm średnica 2” x 0,43 mm 15 x 15 mm | |||
| Grubość | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Polerowanie | Pojedynczy lub podwójny | ||
| Orientacja kryształów | <100>, <110>, <111>, ±0,5° | ||
| Ra | ≤5Å (5µm×5µm) | ||
Definicja podłoża Ge
Podłoże Ge odnosi się do podłoża wykonanego z pierwiastka germanu (Ge).German jest materiałem półprzewodnikowym o unikalnych właściwościach elektronicznych, dzięki czemu nadaje się do różnorodnych zastosowań elektronicznych i optoelektronicznych.
Podłoża Ge są powszechnie stosowane w produkcji urządzeń elektronicznych, zwłaszcza w dziedzinie technologii półprzewodników.Stosowane są jako materiały bazowe do osadzania cienkich warstw i warstw epitaksjalnych innych półprzewodników, takich jak krzem (Si).Podłoża Ge można wykorzystać do hodowli heterostruktur i złożonych warstw półprzewodników o określonych właściwościach do zastosowań takich jak szybkie tranzystory, fotodetektory i ogniwa słoneczne.
German wykorzystuje się także w fotonice i optoelektronice, gdzie można go wykorzystać jako substrat do hodowli detektorów i soczewek podczerwieni (IR).Podłoża Ge mają właściwości wymagane w zastosowaniach w podczerwieni, takie jak szeroki zakres transmisji w obszarze średniej podczerwieni i doskonałe właściwości mechaniczne w niskich temperaturach.
Podłoża Ge mają strukturę sieciową ściśle dopasowaną do krzemu, dzięki czemu można je zintegrować z elektroniką opartą na krzemie.Kompatybilność ta umożliwia wytwarzanie struktur hybrydowych oraz opracowywanie zaawansowanych urządzeń elektronicznych i fotonicznych.
Podsumowując, podłoże Ge odnosi się do podłoża wykonanego z germanu, materiału półprzewodnikowego stosowanego w zastosowaniach elektronicznych i optoelektronicznych.Służy jako platforma do rozwoju innych materiałów półprzewodnikowych, umożliwiając wytwarzanie różnych urządzeń w dziedzinie elektroniki, optoelektroniki i fotoniki.
