-
Ge substrat
Domieszkowany 1.Sb/N
2. Żadnego dopingu
3.Półprzewodnik
-
Podłoże YAP
1. Doskonałe właściwości optyczne i fizyczne
-
Substrat CdTe
1. Wysoka rozdzielczość energetyczna
2. Aplikacja do obrazowania i wykrywania
-
Substrat LiNbO3
1.Właściwości piezoelektryczne, fotoelektryczne i akustooptyczne
2. Niska utrata transmisji fal akustycznych
3. Niska prędkość propagacji fali akustycznej na powierzchni
-
Substrat MgAl2O4
Urządzenia mikrofalowe
-
Podłoże LiTaO3
1. Dobre właściwości elektrooptyczne, piezoelektryczne i piroelektryczne
-
Podłoże LSAT
Nadprzewodniki wysokotemperaturowe
-
Substrat TeO2
1. Dobra dwójłomność i rotacja optyczna
-
Podłoże LiAlO2
1. Niska stała dielektryczna
2. Niskie straty mikrofalowe
3. Cienka warstwa nadprzewodząca wysokotemperaturowa
-
Substrat BaF2
1. Wydajność IR, dobra przepuszczalność optyczna
-
Substrat YVO4
1. Dobra stabilność temperaturowa oraz właściwości fizyczne i mechaniczne
-
Substrat LaAlO3
1. Niska stała dielektryczna
2. Niskie straty mikrofalowe
3. Cienka warstwa nadprzewodząca wysokotemperaturowa
