Substrat GaAs
Opis
Arsenek galu (GaAs) to ważny i dojrzały półprzewodnik złożony z grupy III-Ⅴ, szeroko stosowany w optoelektronice i mikroelektronice.GaAs dzieli się głównie na dwie kategorie: półizolujące GaA i GaA typu N.Półizolujący GaA wykorzystywany jest głównie do budowy układów scalonych o strukturach MESFET, HEMT i HBT, które znajdują zastosowanie w komunikacji radarowej, mikrofalowej i fal milimetrowych, ultraszybkich komputerach i komunikacji światłowodowej.GaA typu N jest stosowany głównie w laserach LD, LED, bliskiej podczerwieni, laserach dużej mocy ze studnią kwantową i wysokowydajnych ogniwach słonecznych.
Nieruchomości
| Kryształ | Doping | Typ przewodzenia | Stężenie przepływów cm-3 | Gęstość cm-2 | Metoda wzrostu |
| GaAs | Nic | Si | / | <5×105 | LE C |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Definicja podłoża GaAs
Podłoże GaAs odnosi się do podłoża wykonanego z materiału krystalicznego arsenku galu (GaAs).GaAs to złożony półprzewodnik składający się z pierwiastków galu (Ga) i arsenu (As).
Podłoża GaAs są często stosowane w elektronice i optoelektronice ze względu na ich doskonałe właściwości.Niektóre kluczowe właściwości podłoży GaAs obejmują:
1. Wysoka ruchliwość elektronów: GaAs ma wyższą ruchliwość elektronów niż inne popularne materiały półprzewodnikowe, takie jak krzem (Si).Ta cecha sprawia, że podłoże GaAs nadaje się do sprzętu elektronicznego o wysokiej częstotliwości i dużej mocy.
2. Bezpośrednie pasmo wzbronione: GaAs ma bezpośrednie pasmo wzbronione, co oznacza, że podczas rekombinacji elektronów i dziur może nastąpić wydajna emisja światła.Ta cecha sprawia, że podłoża GaAs idealnie nadają się do zastosowań optoelektronicznych, takich jak diody elektroluminescencyjne (LED) i lasery.
3. Szerokie pasmo wzbronione: GaAs ma szersze pasmo wzbronione niż krzem, dzięki czemu może pracować w wyższych temperaturach.Ta właściwość umożliwia wydajniejszą pracę urządzeń opartych na GaAs w środowiskach o wysokiej temperaturze.
4. Niski poziom szumów: Podłoża GaAs charakteryzują się niskim poziomem szumów, dzięki czemu nadają się do wzmacniaczy niskoszumowych i innych wrażliwych zastosowań elektronicznych.
Podłoża GaAs są szeroko stosowane w urządzeniach elektronicznych i optoelektronicznych, w tym w szybkich tranzystorach, mikrofalowych układach scalonych (IC), ogniwach fotowoltaicznych, detektorach fotonów i ogniwach słonecznych.
Podłoża te można przygotować różnymi technikami, takimi jak chemiczne osadzanie z fazy gazowej metali organicznych (MOCVD), epitaksja z wiązek molekularnych (MBE) lub epitaksja w fazie ciekłej (LPE).Konkretna zastosowana metoda wzrostu zależy od pożądanego zastosowania i wymagań jakościowych podłoża GaAs.
